Drei Kurzgeschichten F R Die Pr Fung

Wo die doktorarbeit von büchern lernen

Der Defekt nach Frenkelju stellt die offene Stelle und das Atom dar. Die Konzentration dieser Defekte wird auch nach der Formel, aber mit der großen Bedeutung der Energie der Bildung des Atomes W = 4,5 ausgerechnet. Die offene Stelle und wechseln die Atome innerhalb des Gitters auf Kosten von der thermischen Energie den Platz.

Das Erhalten der polykristallinen Kerne des Siliziums wird mittels der thermischen Zerlegung des Monosilans SiH4 nach der Methodik bei den Temperaturen 1000 ° erzeugt. Sich bildend bei der Wasserstoff SiH4 (-> Si (T) + 22 (verfügt hoch der Sauberkeit und wird in der begleitenden Produktion verwendet. nach dieser Technologie verfügt das Polysilizium über die höhere Stufe der Sauberkeit, als das Silizium, das von der Wiederherstellung bekommen wird.

Eine der Erscheinungsformen der dreidimensionalen Verstöße im kristallinischen Gitter sind die Mikrodefekte und (die Phase, in der sich die Atome, im Falle der Überschreitung des Niveaus der Lösbarkeit im Stoff bei gegeben der Temperaturen herausheben.

Für das Erhalten der Einkristalle p - oder des r-Typs mit dem geforderten spezifischen Widerstand führen entsprechend des polykristallinen Ausgangssiliziums oder durch. In das Polysilizium führen die entsprechenden Elemente (, In, As, Sb u.a.) oder ihre Legierungen mit dem Silizium ein, was die Genauigkeit erhöht.

Die modernen technologischen Schemen des Erhaltens des Siliziums schließen die Regeneration und nochmalig aller Komponenten und der Lebensmittel der Reaktionen der Wiederherstellung ein (die Pyrolyse, was die technisch-ökonomischen Kennziffern á verbessert, verringert die Selbstkosten des bekommenen Siliziums, macht der Prozess ökologisch reiner.

Nach den elektrischen Messungen der Prüfungsmuster soll der restliche Inhalt der Spender den spezifischen Widerstand des Siliziums n-Typs nicht weniger als 5000 Om·sm, und nach den Akzeptoren bei den Kristallen des r-Typs — nicht weniger als 8000 Om·sm gewährleisten.

Die Ortsversetzungen entstehen auf Kosten von der parallelen Absetzung der Atome einer Ebene bezüglich anderen auf die identische Entfernung b in der Richtung parallel der möglichen Umstellung der Versetzung. Die Schraubenversetzungen entstehen auf Kosten von der Absetzung der atomaren Ebenen auch, aber die Atome verschieben sich auf verschiedene Entfernungen in der Richtung senkrecht der Umstellung der Versetzung.

Beider Typs der Defekte bilden sich auf Kosten von den mechanischen Anstrengungen, die im Kristall existieren, und sind vom Gradienten der Temperatur oder der großen Konzentration der Atome bedingt. Die Ortsversetzungen in den Kristallen, die für die Produktion in der Regel verwendet werden fehlen.

Zum Ausgangsrohstoff für die Mehrheit der Erzeugnisse der Mikroelektronikindustrie dient das elektronische Silizium. Von der ersten Etappe seines Erhaltens ist die Herstellung des Rohstoffs, der technischen genannt wird (metallurgisch) Silizium.

Auf der Oberfläche der aufgewärmten Kieselkerne — die Grundlagen vom Durchmesser 4—8 mm (manchmal bis zu 30 mm), bekommen von der Methode vom Sockel. In einigen Technologien anstelle der zylindrischen Kerne werden (die Dicke 1—5 mm und der Breite 30—100 mm) mit von der Fläche des Fällens verwendet. Zum Material für die Züchtung der Kerne dient das hochwertige polykristalline Silizium. Die Oberfläche der Kerne – der Grundlagen ziehen die Reinigung, in der Mischung der Säuren (zum Beispiel, HF + + HNO, und dem Dörrkringel unter. Zu den Kernen – den Grundlagen für das Erhalten des polykristallinen Siliziums werden die hohen Forderungen nach der Sauberkeit vorgelegt: sie sollen spezifisch nach den Spendern> 700 Om·sm und nach dem Nadelwald> 5000 Om·sm haben.